STP180N10F3
STMicroelectronics
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STP180N10F3, 1 년 품질 보증
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조회를 요청하다
| 부품 번호 | STP180N10F3 |
|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.14 | |||||
규격
데이터 시트
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (최대): | ±20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | TO-220 |
| 연속: | STripFET™ III |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 5.1 mOhm @ 60A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 315W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
| 다른 이름들: | 497-11228-5 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 38 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 6665pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 114.6nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
| 상세 설명: | N-Channel 100V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 120A (Tc) |
| Email: | rfq@blueschip-store.com |
끼워 넣다
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